[发明专利]制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率无效
申请号: | 201210064227.3 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN103311319A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率。是把导电玻璃在PECVD制作非晶硅薄膜,随后进行本发明ZnO膜层制作,是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀在非晶硅薄膜上,最后放回到PECVD制作微晶硅薄膜及背电极,即完成此制程。本发明ZnO膜层制作在非晶硅与微晶硅薄膜中,制作出具高穿透性、高反射性、低折射率及高表面粗糙的ZnO薄膜,主要是当光从TCO玻璃入射后,先到达非晶硅薄膜,再到ZnO膜层时,光会透过ZnO穿透往微晶硅薄膜进入外,也可在ZnO作折射与反射,让更多的光在非晶硅薄膜吸收,以提高非晶硅薄膜的Jsc,此外当光从背电极作反射时,光也会在微晶硅与ZnO作折射,藉此当试片在经过光衰后,有稳定的效率,且有较低的衰退,以达到高发电效率。 | ||
搜索关键词: | 制作 zno 堆叠 太阳能 薄膜 提高 发电 效率 | ||
【主权项】:
本发明主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率,其主要是把TCO玻璃先在PECVD腔体内制作非晶硅薄膜,随后则进行本发明ZnO膜层的制作,其是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀膜在非晶硅薄膜上,最后再放回到PECVD腔体内制作微晶硅薄膜,以及背电极,即完成此制程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司,未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210064227.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的