[发明专利]制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率无效

专利信息
申请号: 201210064227.3 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN103311319A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 申请(专利权)人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201707 上海市青*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率。是把导电玻璃在PECVD制作非晶硅薄膜,随后进行本发明ZnO膜层制作,是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀在非晶硅薄膜上,最后放回到PECVD制作微晶硅薄膜及背电极,即完成此制程。本发明ZnO膜层制作在非晶硅与微晶硅薄膜中,制作出具高穿透性、高反射性、低折射率及高表面粗糙的ZnO薄膜,主要是当光从TCO玻璃入射后,先到达非晶硅薄膜,再到ZnO膜层时,光会透过ZnO穿透往微晶硅薄膜进入外,也可在ZnO作折射与反射,让更多的光在非晶硅薄膜吸收,以提高非晶硅薄膜的Jsc,此外当光从背电极作反射时,光也会在微晶硅与ZnO作折射,藉此当试片在经过光衰后,有稳定的效率,且有较低的衰退,以达到高发电效率。
搜索关键词: 制作 zno 堆叠 太阳能 薄膜 提高 发电 效率
【主权项】:
本发明主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率,其主要是把TCO玻璃先在PECVD腔体内制作非晶硅薄膜,随后则进行本发明ZnO膜层的制作,其是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀膜在非晶硅薄膜上,最后再放回到PECVD腔体内制作微晶硅薄膜,以及背电极,即完成此制程。
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