[发明专利]光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用有效
申请号: | 201210060267.0 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN102585177A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 霍利军;侯剑辉;武岳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C08L65/00;H01L51/46;H01L51/54 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物的结构式如式I所示,A1和A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:氢,具有1~30个碳原子的烷基,具有1~30个碳原子的烷氧基,氰基,硝基,酯基,芳基,芳烷基,卤素,卤代烷基,杂烷基,烯基,单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基;Ar选自未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的杂亚芳基;n代表聚合物的重复单元个数,为5~1000之间的自然数;本发明提供的聚合物不仅具有很好的空穴迁移率,而且光电转化效率也比较高。 | ||
搜索关键词: | 光电 活性 噻吩 共轭 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.结构式如式I所示的聚合物:
(式I)其中,A1和A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:氢,具有1~30个碳原子的烷基,具有1~30个碳原子的烷氧基,氰基,硝基,酯基,芳基,芳烷基,卤素,卤代烷基,杂烷基,烯基,单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基;Ar选自未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的杂亚芳基;Ar中所述含有取代基的基团中的取代基为1个或2个;所述取代基独立地为芳基、具有1~30个碳原子的烷基、具有1~30个碳原子的烷氧基,或者在Ar基团上的两个相邻碳原子被取代以一起形成乙撑二氧基;n代表聚合物的重复单元个数,为5~1000之间的自然数。
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