[发明专利]一种锗单质薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210059186.9 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102560573A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孙志梅;萨百晟;王振兴;周健;潘元春 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25D3/54 | 分类号： | C25D3/54 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗单质薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)导电基片预处理；2)配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制含有浓度为0.1～20mmol/L的锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节电解质溶液的pH值，在电解质溶液中加入支持电解质；3)恒电位电化学沉积：使用三电极体系，工作电极为导电玻璃，参比电极为饱和KCl电极，对电极为铂网，控制反应电位为‑900～‑1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜。
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