[发明专利]光纤、光纤激光器、光学放大器及光纤制造方法

摘要

本发明涉及光纤、光纤激光器、光学放大器及光纤制造方法。该稀土掺杂放大光纤从中心到外周依次包括内纤芯、内包层、凹槽和外包层。所述内纤芯的半径为r₁，相对于所述外包层的折射率差为Δn₁，且具有掺杂有至少一种稀土元素的基于二氧化硅的主基质，其中r₁为2.5μm～3.1μm，Δn₁为8.0×10^-3～10.5×10^-3。所述内包层的半径r₂为4.1μm～15.8μm。所述凹槽的半径为r₃且相对于所述外包层的负的折射率差为Δn₃，其中Δn₃为-14.2×10^-3～-3.7×10^-3。r₂-r₁为1.4μm～12.9μm，r₃-r₂为4.7μm～18.9μm；以及所述凹槽的体积分V₁₃被定义为：其中，所述体积分为-2200×10^-3μm²～-1600×10^-3μm²。此外，本发明还涉及将所述稀土掺杂放大光纤用于紧凑型装置内。

主权项

一种稀土掺杂放大光纤，所述稀土掺杂放大光纤从中心到外周依次包括：内纤芯；包住所述内纤芯的内包层；包围所述内包层的凹槽；以及外包层，其中，所述内纤芯的半径为r1，所述内纤芯相对于所述外包层的折射率差为Δn1，并且所述内纤芯具有掺杂有至少一种稀土元素的基于二氧化硅的主基质，所述内包层的半径为r2，并且所述内包层相对于所述外包层的折射率差为Δn2，所述凹槽的半径为r3，并且所述凹槽相对于所述外包层的负的折射率差为Δn3，其中，r1为2.5μm～3.1μm，r2为4.1μm～15.8μm，r2‑r1为1.4μm～12.9μm，r3‑r2为4.7μm～18.9μm，Δn1为8.0×10‑3～10.5×10‑3，Δn3为‑14.2×10‑3～‑3.7×10‑3，以及所述凹槽的体积分V13被定义为： V 13 = 2 . ∫ r 2 r 3 Δn ( r ) . rdr ≈ ( r 3 2 - r 2 2 ) × Δ n 3 其中，所述体积分为‑2200×10‑3μm2～‑1600×10‑3μm2。