[发明专利]一种集成电路及其操作方法有效
| 申请号： | 201210055512.9 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103165170A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路及其操作方法，该集成电路包括一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，该多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，该多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选择线，被电性耦接至该多个开关晶体管；以及控制电路，是施加一偏压配置至该多个选择线，如此而由该多个开关晶体管选择位于该多个阶层中的一特定阶层上的该多个NAND串行，并由该多个开关晶体管不选择位于该多个阶层中除该特定阶层外的其他阶层上的该多个NAND串行。位于三维存储阵列中一特定阶层上的NAND串行被选择，而位于其他阶层上的NAND串行不被选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，该多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，该多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选择线，被电性耦接至该多个开关晶体管；以及控制电路，是施加一偏压配置至该多个选择线，如此而由该多个开关晶体管选择位于该多个阶层中的一特定阶层上的该多个NAND串行，并由该多个开关晶体管不选择位于该多个阶层中除该特定阶层外的其他阶层上的该多个NAND串行。
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