[发明专利]具选择性电磁屏蔽的模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210041324.0 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103249287A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 沈里正;谢宗莹 | 申请（专利权）人： | 广达电脑股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具选择性电磁屏蔽的模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法。该模封射频电磁屏蔽结构包括一基底层、一射频元件、一模塑层以及一金属层。射频元件配置于基底层之上。模塑层位于基底层上并包覆射频元件。金属层涂装在模塑层的表面并具有一开口，开口位于射频元件的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 电磁 屏蔽 射频 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种模封射频电磁屏蔽结构，包括：基底层；射频元件，配置于该基底层之上；模塑层，位于该基底层上并包覆该射频元件；以及金属层，涂装在该模塑层的表面并具有一开口，该开口位于该射频元件的上方。
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