[发明专利]具选择性电磁屏蔽的模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法。

背景技术

电路系统微型化的结果使得更多的电路或是不同型态的电路会被置放得非常接近，例如微处理器、数字信号处理器、存储器或是射频传送/接收电路都可能被设置在单一印刷电路板上的一小块区域。为了保证可靠的操作，这些电路间的交互耦合或是干扰必须要被隔离；同时，也必须提供金属腔体以置放某些敏感的电路以防止电路系统内部对外或是外部对内的耦合信号所产生的干扰。

发明内容

本发明的目的在于提供一种模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法，利用选择性电磁屏蔽以改善模封射频电磁屏蔽结构的电磁相容性。

为达上述目的，根据本发明的第一方面，提出一种模封射频电磁屏蔽结构，包括一基底层、一射频元件、一模塑层以及一金属层。射频元件配置于基底层之上。模塑层位于基底层上并包覆射频元件。金属层涂装在模塑层的表面并具有一开口，开口位于射频元件的上方。金属层与基底层接地连接后，即可形成电磁屏蔽效果。

根据本发明的第二方面，提出一种模封射频电磁屏蔽结构形成方法，包括下列步骤。提供一基底层，并配置一射频元件于基底层之上。提供一模塑层在基底层上并包覆射频元件。提供一金属层涂装在模塑层的表面，金属层具有位于射频元件的上方的一开口。

根据本发明的第三方面，提出一种模封射频电磁屏蔽结构，包括一基底层、一射频元件、一模塑层、一填充材料以及一金属层。射频元件配置于基底层之上。模塑层位于基底层上并包覆射频元件。填充材料涂装在模塑层上，并对应地位于射频元件的上方的一区域。金属层涂装在模塑层的表面且包覆填充材料。

根据本发明的第四方面，提出一种模封射频电磁屏蔽结构，包括一基底层、一射频元件、一模塑层、一金属层、以及至少一柱状结构。射频元件配置于基底层之上。模塑层位于基底层上并包覆射频元件。金属层涂装在模塑层的表面。至少此柱状结构位于模塑层中，连接金属层与基底层于一地电位，并形成电性导通。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举一实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明实施范例的模封射频电磁屏蔽结构的示意图；

图2为本发明第一实施范例的模封射频电磁屏蔽结构形成方法的部分过程示意图；

图3为本发明第二实施范例的模封射频电磁屏蔽结构形成方法的部分过程示意图；

图4为本发明第三实施范例的模封射频电磁屏蔽结构形成方法的部分过程示意图；

图5为本发明另一实施范例的模封射频电磁屏蔽结构的示意图；

图6为本发明再一实施范例的模封射频电磁屏蔽结构的示意图。

主要元件符号说明

100、200：模封射频电磁屏蔽结构

110：基底层

120：模塑层

130：金属层

140：开口

150：光致抗蚀剂层

160：区域

170：牺牲层

180：填充材料

190：柱状结构

具体实施方式

本发明所提出的模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法，提供选择性电磁屏蔽以改善模封射频电磁屏蔽结构的电磁相容性。

请参照图1，其绘示依照一实施范例的模封(molded)射频结构的示意图。模封射频电磁屏蔽结构100包括一基底层(substrate layer)110、一射频元件(未绘示于图)、一模塑层(molded layer)120以及一金属层(metal layer)130。射频元件，例如为射频传送/接收电路，其会配置于基底层110之上。模塑层120位于基底层110上并包覆射频元件。金属层130涂装在模塑层120的表面并具有一开口(opening)140，开口140会被设计成位于射频元件的上方。金属层130与基底层110接地连接后可形成电磁屏蔽效果。

如此一来，上述的模封射频电磁屏蔽结构100由于采用涂装的金属层130取代传统的金属腔体，因此其厚度可以大幅缩减。然而，金属层130可能会跟射频元件间产生交互耦合的作用而使得整体效能变差，因此在射频元件上方的金属层130选择性地设计得到一个开口140，进而得以使得金属层130对射频元件的影响降级。亦即，在模封射频电磁屏蔽结构100中，金属层130实际上选择性地被涂装于非射频元件上方的模塑层120的表面。