[发明专利]一种多晶硅串联二极管串及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种多晶硅串联二极管串及其制作方法。所述多晶硅串联二极管串，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的氧化层、设置在氧化层上的多晶硅层以及设置在多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的、且P注入区与N注入区交替排列的具有PN结或PIN结结构的多晶硅二极管，多晶硅二极管通过第二金属引出连接形成多晶硅二极管串；第一金属引出与多晶硅二极管串一端的P注入区连接形成阳极；第二金属引出与多晶硅二极管串另一端的N注入区连接形成阴极。本发明具有良好的工艺兼容性，进一步减小寄生电容，控制正向开启及反向崩溃电压，满足各种器件的静电保护需求。

主权项

一种多晶硅串联二极管串，其特征在于：包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的氧化层、设置在所述氧化层上的多晶硅层以及设置在所述多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；所述多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的、且P注入区与N注入区交替排列的具有PN结或PIN结结构的多晶硅二极管，所述多晶硅二极管通过所述第二金属引出连接形成多晶硅二极管串；所述第一金属引出与所述多晶硅二极管串一端的P注入区连接形成阳极；所述第二金属引出与所述多晶硅二极管串另一端的N注入区连接形成阴极。