[发明专利]一种多晶硅串联二极管串及其制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅串联二极管串，其特征在于：包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的氧化层、设置在所述氧化层上的多晶硅层以及设置在所述多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；

所述多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的、且P注入区与N注入区交替排列的具有PN结或PIN结结构的多晶硅二极管，所述多晶硅二极管通过所述第二金属引出连接形成多晶硅二极管串；

所述第一金属引出与所述多晶硅二极管串一端的P注入区连接形成阳极；所述第二金属引出与所述多晶硅二极管串另一端的N注入区连接形成阴极。

2.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述半导体衬底为硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓中的任意一种材料所制成。

3.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述氧化层为栅氧、场氧、STI层中的任意一种。

4.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述P型杂质和N型杂质注入的元素为硼、磷、砷中的任意一种。

5.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述第一金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种，所述第二金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种。

6.一种多晶硅串联二极管串的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成氧化层；

(2)在所述氧化层上形成多晶硅层，对所述多晶硅层注入P型杂质和N型杂质，经退火形成P注入区与N注入区交替排列的具有PN结或PIN结结构的多晶硅二极管；

(3)将所述多晶硅二极管通过第二金属引出连接形成多晶硅二极管串，通过第一金属引出与所述多晶硅二极管串一端的P注入区连接形成阳极；通过所述第二金属引出与所述多晶硅二极管串另一端的N注入区连接形成阴极。

7.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(1)中所述半导体衬底为硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓中的任意一种材料所制成。

8.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(1)中所述氧化层为栅氧、场氧、STI层中的任意一种。

9.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(2)中所述P型杂质和N型杂质注入的元素为硼、磷、砷中的任意一种。

10.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(2)中所述退火为高温快速退火、低温炉管退火中任意一种。

11.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(3)中所述第一金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种，所述第二金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种。