[发明专利]低温制造齐纳二极管工艺有效
| 申请号： | 201210034595.3 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102543724A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何志;周炳;季安;刘晓萌 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温制造齐纳二极管工艺，包括以下步骤：在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅；通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口，并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽，清洗该硅槽上的光刻胶；在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜，并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜，其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层；在低温条件下退火条件下，使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜，在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶；清洗去除氧化硅层，残余的铝薄膜和非晶硅膜。通过在低于400℃的低温下完成集成，从而使齐纳二极管的制造工艺更加的灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 制造 齐纳二极管 工艺 | ||
【主权项】：
一种低温制造齐纳二极管工艺，其特征在于，包括以下步骤：在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅；通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口, 并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽,清洗该硅槽上的光刻胶；在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜，并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜，其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层；在低温条件下退火条件下, 使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜, 在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶；清洗去除氧化硅层,残余的铝薄膜和非晶硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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