[发明专利]串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法在审
| 申请号： | 201210030427.7 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543200A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;令海阳;唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/08 | 分类号： | G11C17/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法。串联晶体管型一次可编程存储器由两个晶体管串联组成；其中第一个晶体管的漏极与第二个晶体管的源极共用，第一个晶体管作的栅极为控制栅极；第二个晶体管作的栅极为浮栅。在对所述串联晶体管型一次可编程存储器单元进行读取时，所述第一个晶体管的源极电压Vs＝-Vdd，所述第一个晶体管的控制栅极电压Vg＝-Vdd，衬底偏置电压Vb＝0，所述第二个晶体管的漏极电压Vd＝0。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 晶体管 一次 可编程 存储器 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法，串联晶体管型一次可编程存储器由两个晶体管串联组成；其中第一个晶体管的漏极与第二个晶体管的源极共用，第一个晶体管的栅极为控制栅极；第二个晶体管作的栅极作为浮栅，其特征在于所述读取方法包括：在对所述串联晶体管型一次可编程存储器单元进行读取时，所述第一个晶体管的源极电压Vs＝‑Vdd，所述第一个晶体管的控制栅极电压Vg＝‑Vdd，衬底偏置电压Vb＝0，所述第二个晶体管的漏极电压Vd＝0。
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