[发明专利]多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法，包括以下步骤：1、入炉；2、氧化；3、第一次磷源扩散；4、第一次杂质分布；5、第二次磷源扩散；6、第二次杂质分布；7、吸杂；8、出炉。该多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法具有优良的磷杂质掺杂浓度分布，扩散速率可控性较强，提高硅片扩散的一次成品率，提高多晶硅片少子寿命，扩散过程中磷源利用率较高的优点。

主权项

一种多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法，其特征在于方法步骤如下：步骤一、入炉将制绒后的硅片放入初始温度为780~820℃的管式扩散炉中，在硅片入炉过程中向管式扩散炉的进气管路通入氧气，通入氧气的流量为0.25~0.35L/min；步骤二、氧化将管式扩散炉升温至820‑850℃，升温速率为4~6℃/min，向进气管路继续通入氧气进行氧化，通入氧气的流量为0.45~0.55L/min，进行氧化的时间为35~45min；步骤三、第一次磷源扩散将管式扩散炉温度控制在810‑830℃，向进气管路通入小氮、氧气以及大氮进行第一次磷源扩散，所述小氮流量为0.87~0.93L/min，所述氧气流量为0.45~0.55L/min，所述大氮流量为9.3~9.7 L/min，进行第一次磷源扩散的时间为5~15min；步骤四、第一次杂质分布将管式扩散炉温度控制在840‑870℃，向进气管路通入氧气和大氮进行第一次杂质分布，所述氧气流量为0.45~0.55L/min，所述大氮流量为9.3~9.7 L/min，进行第一次杂质分布的时间为5~8min；步骤五、第二次磷源扩散将管式扩散炉温度控制在840~890℃之间，向进气管路通入小氮、氧气以及大氮进行第二次磷源扩散，所述小氮流量为0.95~1.05L/min，所述氧气流量为0.45~0.55L/min，所述大氮流量为9.5~1.0 L/min，进行第二次磷源扩散的时间为8~20min；步骤六、第二次杂质分布将管式扩散炉温度控制在850~890℃之间，向进气管路通入氧气以及大氮进行第二次杂质分布，所用氧气流量为0.85~0.95 L/min，所述大氮流量为9.5~10.5 L/min，进行第二次杂质分布的时间为5~6min；步骤七、吸杂将管式扩散炉温度控制在500~800℃之间，向进气管路通入大氮进行吸杂，所述大氮流量为0.45~0.55L/min，进行吸杂的时间为50~70min；步骤八、出炉使用碳化硅浆进入管式扩散炉内取出吸杂后的硅片，在碳化硅浆进出管式扩散炉的过程中向管式扩散炉中持续通入氧气以及大氮，碳化硅浆取出吸杂后的硅片后，停止向管式扩散炉中通入氧气，保持通入大氮，所述氧气流量为0.15～0.25 L/min，氮气流量为8～12 L/min。