[发明专利]砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构无效
| 申请号： | 201210026566.2 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103241707A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王双福;罗乐;徐高卫;叶交托 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感器晶圆(20)的背面与焊盘对应的位置制作垂直互连通孔(21)至接触该焊盘；在步骤2)获得的结构上除焊盘以外的部分制作形成绝缘薄膜层(28)；通孔金属化工艺；依次制作RDL层(25)、钝化层(26)和电镀凸点(32)；最后划片形成独立的封装器件。该封装方法采用干膜键合技术和激光通孔制作技术，避免了对砷化镓图像传感器晶片的减薄，降低了工艺难度并提高成品率，为图像传感器提供可靠的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 图像传感器 圆片级 芯片 尺寸 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；2)直接在图像传感器晶圆(20)的背面，与焊盘对应的位置制作垂直互连通孔(21)至接触该焊盘；3)在步骤2)获得的结构上除焊盘以外的部分制作形成绝缘薄膜层(28)；4)通孔金属化工艺；5)依次制作RDL层(25)、钝化层(26)和电镀凸点(32)；6)最后划片形成独立的封装器件。
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