[发明专利]未金属硅化多晶硅熔丝有效
| 申请号： | 201210022548.7 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738114A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林松杰;严光武;邱其煦;许国原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;G11C17/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程未金属硅化多晶硅熔丝的机制。未金属硅化多晶硅熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储器单元，该一次性可编程存储器单元可以用低编程电压编程。本发明还提供了一种未金属硅化多晶硅熔丝。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 多晶 硅熔丝 | ||
【主权项】：
一种未金属硅化多晶硅熔丝，包括：阳极，其中所述阳极的第一部分由自对准硅化多晶硅制成，且所述阳极的第二部分由未金属硅化多晶硅制成；阴极，其中所述阴极的第一部分由自对准硅化多晶硅制成，且所述阴极的第二部分由未金属硅化多晶硅制成；以及熔丝链；其中所述熔丝链是由未金属硅化多晶硅制成，并且其中所述熔丝链物理连接于所述阳极的所述第二部分和所述阴极的所述第二部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210022548.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁性隧道结装置及制造
- 下一篇：按键结构
