[发明专利]多孔结构石墨烯材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210019225.2 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102583337A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;唐宇峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种多孔结构的石墨烯材料的制备方法。解决的手段是，包括：以多孔氧化镁/硅复合材料作为模板通过化学气相沉积法使碳源在所述多孔氧化镁/硅复合材料的结构内生长石墨烯形成氧化镁/硅/石墨烯复合结构的工序A；通过刻蚀去除复合结构中的模板材料的工序B，从而获得所述多孔结构石墨烯材料。本发明所用模板采用多孔结构的氧化镁/硅复合材料，可利用化学气相沉积法进行宏量制备。该多孔结构石墨烯材料的制备方法工艺简单，过程易控制，材料导电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 结构 石墨 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔结构石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括：以多孔氧化镁/硅复合材料作为模板通过化学气相沉积法使碳源在所述多孔氧化镁/硅复合材料的结构内生长石墨烯形成氧化镁/硅/石墨烯复合结构的工序A；通过刻蚀去除复合结构中的模板材料的工序B，从而获得所述多孔结构石墨烯材料。
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