[发明专利]一种阻变存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201210018980.9 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102569651A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张丽杰;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该方法首先在衬底上淀积下电极，下电极上淀积阻变层，阻变层上淀积隔离层，在隔离层上淀积上电极，对上电极和下电极施加电压，在隔离层内形成细丝状的有效电极。本发明制备出的结构由于经过电学的操作，可实现小尺寸器件，从而可以有效地降低器件参数的波动性，改善器件的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，在衬底上淀积下电极，下电极上淀积阻变层，阻变层上淀积隔离层，在隔离层上淀积上电极，对上电极和下电极施加电压，在隔离层内形成细丝状的有效电极。
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