[发明专利]一种改善微波器件无源互调的方法无效
| 申请号： | 201210018157.8 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102544680A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张吓弟;黄海峰;林轶樑 | 申请（专利权）人： | 福建三元达通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区五*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善微波器件无源互调的方法，将存在于微波器件各组件相互组合面上的金属氧化物去除，并覆盖上一层表面任意两点接触电阻小于20mΩ且耐腐蚀的替代物质层，微波器件各组件相互组合面上的金属氧化物的处理工艺可以使用导电氧化处理，如铬酸盐处理方法。所述铬酸盐处理方法的基本工艺流程如下：化学除油-水洗-脱脂-出光-刷洗-铬酸盐处理-水洗-吹干-烘干。本发明改变了MIM结构，将本发明MIM结构中的绝缘物质(金属氧化物)去除，然后形成具有导电性和耐腐蚀特性的膜，所以可以在较差的表面光滑度情况下提高微波无源器件的无源互调性能，兼顾成本、工时、能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 微波 器件 无源 方法 | ||
【主权项】：
一种改善微波器件无源互调的方法，其特征在于：将存在于微波器件各组件相互组合面上的金属氧化物去除，并覆盖上一层表面任意两点接触电阻小于20mΩ且耐腐蚀的替代物质层。
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