[发明专利]晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法，通过使用电致发光技术，实现快速测定晶体硅太阳电池的少子寿命，包括步骤：在标准晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U₀，得到标准晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量标准晶体硅太阳电池的电致发光强度I_Ls；通过关系式以及标准晶体硅太阳电池的平均少子寿命τ_ns，得到系数A；在晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U₀，得到晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量晶体硅太阳电池的发光强度I_L；通过关系式以及系数A，得到晶体硅太阳电池的平均少子寿命τ_n以及太阳电池上某一选定区域内的少子寿命面分布。

主权项

1.一种晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法，其特征在于，包括步骤：在标准晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压(U₀)，得到所述标准晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量所述标准晶体硅太阳电池的电致发光强度(I_Ls)；通过关系式：以及所述标准晶体硅太阳电池的少子寿命(τ_ns)，得到系数(A)；在晶体硅太阳电池上施加所述正向偏置电压(U₀)，得到所述晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量所述晶体硅太阳电池的发光强度测量(I_L)；通过关系式：以及所述系数(A)，得到所述晶体硅太阳电池的少子寿命(τ_n)。