[发明专利]固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法及电子设备无效
申请号: | 201210017259.8 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102623478A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 泷本香织 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L27/146;H04N5/361;H04N5/372 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法及电子设备。该固态摄像装置包括:光电转换部分,形成在基板上,并且由光敏二极管组成;摄像区域,其中形成多个像素,每个像素包括用于读出光电转换部分中产生且累积的信号电荷的读出电极;以及挡光膜,在摄像区域的有效像素区域中的光电转换部分正上方具有开口部分,并且对摄像区域的OB像素区域的所述光电转换部分进行挡光,其中OB像素区域中在光电转换部分正上方的挡光膜和基板之间设置的膜仅由氧化硅膜组成。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态摄像装置,包括:光电转换部分,形成在基板上,并且由光敏二极管组成;摄像区域,其中形成多个像素,每个像素包括读出电极,所述读出电极用于读出所述光电转换部分中产生且累积的信号电荷;以及挡光膜,在所述摄像区域的有效像素区域中所述光电转换部分正上方具有开口部分,并且对所述摄像区域的光学黑像素区域中的所述光学转换部分进行挡光,其中在所述光学黑像素区域中的所述光电转换部分正上方形成在所述挡光膜和所述基板之间的膜仅由氧化硅膜组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的