[发明专利]一种测量金属钚氧化百分比的方法无效

专利信息
申请号: 201210015567.7 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN102590250A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 程金星;王庆波;刘军辉;王新赤;朱文凯;高缨 申请(专利权)人: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
主分类号: G01N23/22 分类号: G01N23/22
代理公司: 北京尚德技研知识产权代理事务所(普通合伙) 11378 代理人: 严勇刚
地址: 100085 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种测量金属钚氧化程度的方法,先测定被氧化的金属钚样品自然放射条件下17O(α,α′γ)17O(871keV)和14N(α,p)17O(871keV)反应的所发生的871keV特征γ射线峰位计数数值,然后利用17O(n,n′γ)17O(871keV)反应,通过加外中子源照射,增强被测试金属钚样品中17O(n,n′γ)17O(871keV)反应的能力,测得在加外中子源照射条件下被氧化的金属钚样品的871keV特征γ射线峰位计数数值,将在加外中子源照射条件下所测得的871keV特征γ射线峰位计数数值减去自然放射条件下所测得的871keV特征γ射线峰位计数数值,即可得到被氧化的金属钚样品中17O所贡献的871keV特征γ射线峰位计数数值,本发明所提供的一种测量金属钚氧化程度的方法,能够有效避免14N(α,p)17O(871keV)反应所产生的871keV特征γ射线的干扰,也就能够对待测氧化程度的金属钚样品进行定量分析。
搜索关键词: 一种 测量 金属 氧化 百分比 方法
【主权项】:
一种测量金属钚氧化百分比的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:A、将纯氧化钚粉末与纯金属钚粉末混合为100克标准测试样品,进行871keV特征γ射线峰位计数数值测定,得到具有该确定重量百分比的氧化钚的金属钚871keV特征γ射线峰位计数数值w1;B、对步骤A中的所述100克标准测试样品加外中子源照射,同时进行871keV特征γ射线峰位计数数值测定,得到具有该确定重量百分比的氧化钚的金属钚在加外中子源照射条件下的871keV特征γ射线峰位计数数值w2;C、将步骤B中得到的在加外中子源照射条件下的871keV特征γ射线峰位计数数值w2减去步骤A中得到的871keV特征γ射线峰位计数数值w1,即可得到具有该确定重量百分比的的氧化钚的金属钚中17O(n,n′γ)17O(871keV)反应所发生的871keV特征γ射线峰位计数数值w3;D、参照步骤A‑C,测量不同重量百分比的氧化钚的金属钚中17O(n,n′γ)17O(871keV)反应所发生的871keV特征γ射线峰位计数数值w3,拟合出100克标准测试样品金属钚中氧化钚重量百分比0‑100%的17O(n,n′γ)17O(871keV)反应871keV特征γ射线峰位计数数值标准曲线。E、取100克待测氧化程度的金属钚样品,进行871keV特征γ射线峰位计数数值测定,得到其871keV特征γ射线峰位计数数值w1’;F、对步骤E中的所述100克待测氧化程度的金属钚样品加外上述步骤B中所述的中子源照射,同时进行871keV特征γ射线峰位计数数值测定,得到所述100克待测氧化程度的金属钚样品在加外中子源照射条件下的871keV特征γ射线峰位计数数值 W2’;G、将步骤F中得到的在加外中子源照射条件下的871keV特征γ射线峰位计数数值w2’减去步骤E中得到的871keV特征γ射线峰位计数数值w1’,即可得到所述100克待测氧化程度的金属钚样品中17O(n,n′γ)17O(871keV)反应所发生的871keV特征γ射线峰位计数数值w3’。H、将步骤G中得到的所述计数数值w3’与步骤D中所述的标准曲线进行比较,即可得到所述100克待测氧化程度的金属钚样品中的氧化钚重量百分比。
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