[发明专利]局部阳极氧化控制润滑剂分布的方法无效

专利信息
申请号: 201210014907.4 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN102534728A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 莫宇飞;黄福川;卢朝霞 申请(专利权)人: 广西大学
主分类号: C25D11/32 分类号: C25D11/32;C30B33/00;B05D1/18;B05D3/10;B05D5/00;B05D7/24
代理公司: 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 代理人: 杨立华;翁建华
地址: 530004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种局部阳极氧化控制润滑剂分布的方法,该法基于阳极氧化法,通过表面纳米氧化的制备和润滑剂浸图氧化区域两个步骤,使润滑剂纳米液滴被分散在单晶硅片表面氧化区域,通过控制单晶硅片表面氧化区域的面积、溶液浓度和提拉速度来控制润滑剂纳米液滴的分布大小、分布密度以及液滴高度。应用本发明精确涂覆润滑剂,可使得润滑剂在微纳米光机电系统器件表面分布均匀,而且通过控制可以使得工况恶劣的部件得到更多润滑,从而解决MOEMS/NOEMS和微小空间涂覆润滑领域的难题。
搜索关键词: 局部 阳极 氧化 控制 润滑剂 分布 方法
【主权项】:
一种局部阳极氧化控制润滑剂分布的方法,其特征在于包括以下步骤:<1>表面纳米氧化的制备  先将单晶硅片的单晶硅表面浸泡在HF水溶液中进行氢钝化;取出氢钝化的单晶硅片,在去离子水中超声清洗,然后氮气吹干;根据预设的图案编辑计算机脚本,将该计算机脚本导入导电原子力显微镜在线控制软件中,绘制出预设的图案;操作导电原子力显微镜,在控制脉冲电压、脉冲宽度和湿度的条件下,进行氧化加工,加工后的单晶硅片表面纳米织构经过导电原子力显微镜扫描后确认;<2>润滑剂浸图氧化区域  采用提拉法浸入烷基润滑剂的正己烷溶液中,然后缓慢提出,无尘干燥即可。
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