[发明专利]一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法无效
| 申请号： | 201210011840.9 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102584221A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郝喜红;王莹;杨吉春 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/491;C04B35/493;C04B35/624 |
| 代理公司： | 包头市专利事务所 15101 | 代理人： | 庄英菊 |
| 地址： | 014010 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法。本发明化学通式为：(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶(0.5～2)。本发明制得的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的击穿电场又具有较高的饱和极化强度，能够在高储能密度电容器中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 击穿 场强 反铁电厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高击穿场强特性的锆酸铅基反铁电厚膜，其特征在于，化学组分：(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比，(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶0.5～2。
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