[发明专利]一种高比表面积MgSiO3/SiO2复合物的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210008011.5 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102580712A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 丁伟中;邹秀晶;汪学广;赵景月;刘合之;鲁雄刚 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: B01J21/14 分类号: B01J21/14;B01J35/10;B01J32/00;B01J23/755;C01B3/40
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高比表面积MgSiO3/SiO2复合物的制备方法。本发明方法采用氯化镁、二氧化硅、氨水为原料,利用表面反应法制得硅酸镁与二氧化硅的复合物;其中采用的Mg/Si摩尔投料比为0.25~1.20;本发明制得的产物MgSiO3/SiO2复合物具有很高的比表面积,是可以作为镍基活性物种活离子的载体,作为烷烃水蒸气重整的催化剂。
搜索关键词: 一种 表面积 mgsio sub sio 复合物 制备 方法
【主权项】:
一种高比表面积MgSiO3/SiO2复合物的制备方法,其特征在于是有以下的制备过程和步骤:将一定量的氯化镁溶于去离子水中,配制成含有Mg2+浓度为 0.625~3mol/L的氯化镁溶液;在不断搅拌下加入纯SiO2­粉末,其加入量按规定的Mg/Si摩尔投料比0.25~1.20进行计量,并充分搅拌混合均匀;得到胶状混合物在50℃下密封反应24 h;冷却后再加入稀氨水在80~120℃下浸泡24h;冷却后经过滤洗涤至无Cl‑1,随后90 oC烘干,110 oC干燥后于500~700℃焙烧6h,即得高比表面积的MgSiO3/SiO2复合物。
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