[发明专利]基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底无效
| 申请号： | 201210004276.8 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102530828A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张洁;王宁;陈俞霖;韦玮;朱永 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底方法，该方法是采用垂直排列的碳纳米管阵列作为纳米金属结构载体，表面积大；并在此碳纳米管载体上沉积贵金属纳米颗粒，形成表面增强拉曼散射活性基底；将待测分子吸附在粗糙金属表面；外加激励光照射待测分子表面，分子的拉曼散射信号得到显著增强。本发明活性基底制作工艺简单，成本低，无污染；碳纳米管阵列表面积大，有效增加了金属纳米粒子的填充效果，从而增加了拉曼散射截面积，拉曼散射信号增强强度增大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 阵列 金属 颗粒 表面 增强 散射 活性 基底 | ||
【主权项】：
基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底，其特征在于：其包括硅基底、催化层、碳纳米管阵列和金属纳米颗粒，所述催化层通过溅射沉积在硅基底上，所述碳纳米管阵列沉积在催化层上，所述金属纳米颗粒沉积在碳纳米管阵列上。
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