[发明专利]基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底无效

专利信息
申请号: 201210004276.8 申请日: 2012-01-09
公开(公告)号: CN102530828A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 张洁;王宁;陈俞霖;韦玮;朱永 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: B81B7/04 分类号: B81B7/04;B81C1/00;G01N21/65
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 康海燕
地址: 400030 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 阵列 金属 颗粒 表面 增强 散射 活性 基底
【权利要求书】:

1.基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底,其特征在于:其包括硅基底、催化层、碳纳米管阵列和金属纳米颗粒,所述催化层通过溅射沉积在硅基底上,所述碳纳米管阵列沉积在催化层上,所述金属纳米颗粒沉积在碳纳米管阵列上。

2.一种权利要求1所述的基于碳纳米管阵列和金属纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法,其特征在于:

首先在硅基底上沉积一层金属作为催化剂;然后采用化学气相沉积方法,通入碳源气反应,在催化层上长出碳纳米管阵列;再通过电镀/化学沉积方法将金属纳米颗粒沉积在碳纳米管阵列表面,形成表面增强拉曼散射活性基底。

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