[发明专利]生产具有改善的载流子寿命的基底的方法有效
| 申请号： | 201210002807.X | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102517631A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | G·钟;M·罗伯达 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。本发明还涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括非氯化的含硅气体、氯化氢、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 具有 改善 载流子 寿命 基底 方法 | ||
【主权项】：
在单晶碳化硅基底上沉积碳化硅涂层的方法，使得所得涂层具有0.5‑1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有单晶碳化硅基底的反应室中，其中氯代硅烷气体是二氯硅烷气体、甲基氢二氯硅烷气体、二甲基二氯硅烷气体、或其混合物；b.将基底加热到1200℃‑1800℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1‑760托的范围内。
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