[发明专利]蚀刻方法及装置有效
| 申请号： | 201180010706.0 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102770944A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 宫本荣司;井上将男 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在抑制或防止玻璃基板等含有含硅物的被处理基板的第一面(例如主面)的蚀刻的同时，对背侧的第二面进行蚀刻。在含有氟化氢及水的处理气氛中配置被处理基板(9)。通过包括加热器(21)的调节机构，以使被处理基板(9)的第一面(9a)的温度成为比处理气氛的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使第二面(9b)的温度成为上述凝结点以下的方式进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其为在接近大气压的气压下对被处理基板进行蚀刻的方法，该被处理基板含有含硅物，且具有第一面和该第一面的背侧的第二面，所述蚀刻方法的特征在于，在含有氟化氢蒸气及水蒸气的处理气氛中配置所述被处理基板，以使所述第一面的温度成为比所述处理气氛中的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使所述第二面的温度成为所述凝结点以下的温度的方式进行调节。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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