[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201180007205.7 | 申请日: | 2011-03-08 |
公开(公告)号: | CN102725438A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 原正道;山本薰;五味淳;多贺敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/285 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备:内部能够真空排气的处理容器(22);载置被处理体(W),并且设置有对被处理体(W)进行加热的加热器(34)的载置台(28);在载置台(28)的上方与载置台(28)相对设置,向着载置台(28)上的被处理体(W)外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构(80);包围载置台(28)的上方的处理空间(S),划分处理空间的内外,并且以其下端部接近载置台(28)的方式设置,在下端部与载置台(28)的周边部之间形成气体出口(92)的内部划分壁(90);在内部划分壁(90)的下端部,向着载置台(28)的半径方向的内方延伸设置,在与载置台(28)的周边部之间形成与气体出口(92)连通的孔口部(98)的孔口形成部件(96)。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其为使用包括有机金属化合物的原料气体在被处理体的表面形成薄膜的成膜装置,所述成膜装置的特征在于,具备:处理容器,内部收容被处理体,且内部能够真空排气;载置台,收容在所述处理容器内,载置被处理体,并且设置有对被处理体进行加热的加热器;气体导入机构,在所述载置台的上方与所述载置台相对设置,向着所述载置台上的所述被处理体的外周端更外侧的区域导入所述原料气体;内部划分壁,包围所述载置台的上方的处理空间,划分处理空间的内外,并且以其下端部接近所述载置台的方式设置,在所述下端部与所述载置台的周边部之间形成气体出口;和孔口形成部件,在所述内部划分壁的下端部向着所述载置台的半径方向的内方延伸设置,在与所述载置台的周边部之间形成与所述气体出口连通的孔口部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的