[发明专利]硅薄膜、硅薄膜光伏电池以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 201180002927.3 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102713026A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 秋山信之 | 申请（专利权）人： | 秋山信之 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/02;H01L21/20;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制造硅薄膜的方法、制造硅薄膜光伏电池的方法和硅薄膜。提供的制造硅薄膜的方法具有这样的形式，其中通过在硅基板上选择性形成非活性层而形成硅基板的暴露面和非活性层形成的非活性面，在非活性层中对于硅晶体的原料气体硅晶体的生长是非活性的，并且通过向该硅基板提供该原料气体中使该硅基板上的表面分解反应占主导地位的原料气体，从该暴露面生长该硅晶体，使得该硅晶体覆盖该硅基板。通过形成宽度在0.001μm至1μm范围内的暴露面，以硅薄膜可从硅基板剥离的状态形成硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造硅薄膜的方法，该方法具有这样的形式，其中通过在硅基板上选择性形成非活性层而形成该硅基板的暴露面和该非活性层形成的非活性面，在该非活性层中对于硅晶体的原料气体该硅晶体的生长是非活性的，并且通过向该硅基板提供该原料气体中使该硅基板上的表面分解反应占主导地位的原料气体，从该暴露面生长该硅晶体，使得该硅晶体覆盖该硅基板，其中通过形成宽度在0.001μm至1μm范围内的该暴露面，以该硅薄膜能够从该硅基板剥离的状态形成该硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于秋山信之，未经秋山信之许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180002927.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括使用可重用索引字段的对特征的索引和搜索
- 下一篇：企业采购管理系统
