[发明专利]等离子显示屏的制备方法及由其制得的等离子显示屏无效
| 申请号： | 201110459795.9 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103794434A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宋利建;吕旭东 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/24 | 分类号： | H01J9/24;H01J9/02;H01J11/10;H01J11/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子显示屏的制备方法及由其制得的显示屏。该制备方法包括前基板制作、后基板制作及前、后基板封接的步骤，其中，前基板的制作包括以下步骤：1)在玻璃基板上制作显示电极，并在显示电极上依次制作介质层和介质保护层；2)在介质保护层上制作氧化镁晶体层，其中，显示电极附近的氧化镁晶体层覆盖率为1～6％，其他部位的氧化镁晶体层覆盖率为15～30％。本发明首先在保护层上设置氧化镁晶体层，然后通过真空吸附得到了显示电极附近和其他位置具有不同氧化镁晶体层覆盖率的等离子显示屏前基板。本发明采用不同的显示部位具有不同覆盖率的技术方案，提高了显示单元二次电子发射系数，同时提高了显示电极附近的透过率和显示器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 显示屏 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子显示屏的制备方法，包括前基板制作、后基板制作及前、后基板封接的步骤，其特征在于，所述前基板的制作包括以下步骤：1)在玻璃基板上制作显示电极，并在所述显示电极上依次制作介质层和介质保护层；2)在所述介质保护层上制作氧化镁晶体层，其中，显示电极附近的氧化镁晶体层覆盖率为1～6％，其他部位的氧化镁晶体层覆盖率为15～30％。
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