[发明专利]相变存储器中的相变电阻及其形成方法有效
| 申请号： | 201110459550.6 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187525A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 朱南飞;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器中的相变电阻及其形成方法，相变存储器中相变电阻的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有底部电极，底部电极的上表面与衬底的上表面相平；在衬底上依次形成第一介质层和第二介质层；在第一介质层中形成通孔，在第二介质层中形成沟槽，通孔底部暴露出部分底部电极，沟槽暴露出通孔，沟槽宽度大于通孔的孔径，沟槽沿相变存储器的位线方向延伸；在通孔和沟槽中填充相变材料形成相变电阻，相变电阻的上表面和第二介质层的上表面相平。本技术方案相邻存储单元之间由介质层隔离，可以避免相邻存储单元之间相互影响的问题，而且相变材料容易填充，另外，不会产生相变材料剥离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 中的 电阻 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器中相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有底部电极，所述底部电极的上表面与所述衬底的上表面相平；在所述衬底上依次形成第一介质层和第二介质层；在所述第一介质层中形成通孔，在所述第二介质层中形成沟槽，所述通孔底部暴露出部分所述底部电极，所述沟槽暴露出所述通孔，所述沟槽宽度大于所述通孔的孔径，所述沟槽沿相变存储器的位线方向延伸；在所述通孔和沟槽中填充相变材料形成相变电阻，所述相变电阻的上表面和所述第二介质层的上表面相平。
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