[发明专利]一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法有效
| 申请号： | 201110457691.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623356A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 沓世我;杨丙文;陈国政;王建明;付振晓;李旭杰 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法，步骤为：A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片；B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过镀层；C、将步骤B所得的产品进行光刻处理，所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程，所述的光刻胶的厚度是2～20μm；D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜，所述的金锡合金的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度是2～8μm；E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理;F、将步骤E得到的产品进行切割分离，即可得芯片级可焊陶瓷热沉。该陶瓷热沉适用于半导体芯片散热需求，且封装热传导率是现有产品的20到100倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级可焊氧化铝或氮化铝陶瓷热沉的制备方法，步骤为：A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片；B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过镀层；C、将步骤B所得的产品进行光刻处理，所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程，所述的光刻胶的厚度是2～20μm；D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜，所述的金锡合金的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度是2～8μm；E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理;F、将步骤E得到的产品进行切割分离，即可得芯片级可焊陶瓷热沉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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