[发明专利]Al-Ge键合方法有效
| 申请号： | 201110455266.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103183308A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 顾佳玉;李夏;黄平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进的Al-Ge键合方法，包括提供具有图案化的Ge顶层的第一晶片；提供具有图案化的Al的第二晶片；对准步骤，将第一晶片与第二晶片对准；吹扫步骤，通入合成气吹扫晶面，所述合成气包括还原性气体和惰性的气体；抽真空步骤，将键合腔的压力降至0.1mBar以下的真空，键合腔温度420～450℃；和键合步骤，对第一晶片和第二晶片施加力，温度升至高于Al-Ge共晶点5～30℃。 | ||
| 搜索关键词： | al ge 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的Al‑Ge键合方法，其包括：提供具有图案化的Ge顶层的第一晶片；提供具有图案化的Al的第二晶片；对准步骤，将第一晶片与第二晶片对准；吹扫步骤，通入合成气吹扫晶面，所述合成气包括还原性气体和惰性的气体；抽真空步骤，将键合腔的压力降至0.1mBar以下的真空，键合腔温度420～450℃；和键合步骤，对第一晶片和第二晶片施加力，温度升至高于Al‑Ge共晶点5～30℃。
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