[发明专利]Al-Ge键合方法有效
| 申请号： | 201110455266.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103183308A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 顾佳玉;李夏;黄平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al ge 方法 | ||
1.一种改进的Al-Ge键合方法，其包括：
提供具有图案化的Ge顶层的第一晶片；
提供具有图案化的Al的第二晶片；
对准步骤，将第一晶片与第二晶片对准；
吹扫步骤，通入合成气吹扫晶面，所述合成气包括还原性气体和惰性的气体；
抽真空步骤，将键合腔的压力降至0.1mBar以下的真空，键合腔温度420～450℃；和
键合步骤，对第一晶片和第二晶片施加力，温度升至高于Al-Ge共晶点5～30℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原性气体为H2。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性的气体为N2。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述合成气体包括90～97vol％的N2和10～3vol％的H2。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述吹扫步骤和抽真空步骤至少交替进行2轮。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抽真空步骤中，键合腔的压力降至0.05mBar以下的真空。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述对准步骤中，在第一晶片和第二晶片之间插入间隔体以将两晶片分离；在键合步骤中，将所述间隔体除去。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述抽真空步骤之后，键合步骤之前，对晶片进行退火处理，退火温度为350～420℃。
9.一种改进的Al-Ge键合方法，其特征在于，在键合步骤前对晶片进行退火处理，退火温度为350～420℃。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述退火步骤用于减少器件晶片的放气。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述放气包括Ar气和水汽。
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