[发明专利]再装填原料多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201110455221.4 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102534755A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤英生;吉村聡子;二宮武士 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及限制所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。 | ||
| 搜索关键词： | 装填 原料 多晶 方法 | ||
【主权项】：
再装填原料多晶硅的方法，所述原料多晶硅用于制备硅单晶锭，所述方法包括将原料多晶硅装入坩埚中的装入步骤，熔化所述坩埚中装入的多晶硅以形成硅熔体的熔化步骤，以及使晶种与所述硅熔体接触并且提拉所述晶种，从而生长硅单晶锭的提拉步骤；其中，在所述熔化步骤和提拉步骤后，向所述坩埚中进一步供给原料多晶硅；其中，通过将小尺寸的小多晶硅块引入到所述坩埚中的硅熔体的表面而形成缓冲区，并且将尺寸大于所述小多晶硅块的大多晶硅块供给至所述缓冲区上。
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