[发明专利]一种晶体生长装置及利用该装置生长晶体的方法无效
| 申请号： | 201110443930.0 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103184500A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 徐军;王娇;徐晓东;钱小波;李红军;唐慧丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长装置及利用该装置生长晶体的方法。所述的晶体生长装置包括铜管、水冷坩埚、感应线圈、水冷底座，其特征在于：还包括热交换器，所述的热交换器从水冷底座中心穿出且高出水冷底座50～200mm，且在所述的热交换器内设有输送冷却气体的进气口和出气口。利用该晶体生长装置生长晶体的方法包括填料、启熔、籽晶的熔接、晶体生长及获得晶体5个步骤。本发明可实现籽晶和熔体的温场独立控制，使引晶过程变得简单，晶体生长过程可控，可缩短晶体生长周期，节约生产成本；另外，本发明装置结构简单、使用成本低。总之，本发明提供的晶体生长装置及利用该装置生长晶体的方法均能满足工业化生产要求，具有工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 利用 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长装置，包括：铜管、水冷坩埚、感应线圈、水冷底座，其特征在于：还包括热交换器，所述的热交换器从水冷底座中心穿出且高出水冷底座50～200mm，且在所述的热交换器内设有输送冷却气体的进气口和出气口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110443930.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种织物
- 下一篇：一种白云石生产金属镁的工艺方法
