[发明专利]一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池

摘要

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征吸收层、N+层、背反射电极和金属电极，所述本征吸收层具有带隙梯度结构，薄膜层数为2-5层，薄膜厚度为50-500nm，相邻两层薄膜带隙的变化幅度为0.1-0.3eV；其制备方法是：通过改变气体流量、气体压强、衬底温度和辉光功率，连续沉积不同带隙的微晶硅锗薄膜，形成具有带隙梯度的本征吸收层。本发明的优点是：该微晶硅锗薄膜电池结构新颖，工艺简单、易于操作、可以有效的优化电池的结构特性，提高本征层的器件质量，在保证微晶硅锗薄膜太阳电池高短路电流的同时，提高电池的开路电压和填充因子，从而提高了器件性能。

主权项

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池，其特征在于：包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征吸收层、N+层、背反射电极和金属电极，所述本征吸收层具有带隙梯度结构，带隙梯度为纵向分布，带隙范围为1.1‑0.66eV，具有带隙梯度本征吸收层的薄膜层数为2‑5层，每一层薄膜厚度为50‑500nm，相邻两层薄膜带隙的变化幅度为0.1‑0.3eV。