[发明专利]一种LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201110433441.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103178169A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片，包括衬底以及在所述衬底上顺序生长的n型氮化镓层、发光层和p型氮化铟镓/氮化镓结构层，所述p型氮化铟镓/氮化镓结构层包括顺序生长的本征氮化镓层、Mg掺杂量逐渐增加的p型氮化铟镓层、p型氮化镓层和Mg掺杂量逐渐减少的p型氮化铟镓层，所述本征氮化镓层与发光层邻接。本发明还提供所述LED外延片的制备方法。本发明提供的LED外延片及其制备方法中，利用Mg掺杂量渐变的氮化铟镓/氮化镓结构作为p型层替换传统的p型氮化镓层，提高了光电器件的外量子效率；利用铟原子的催化作用，使得Mg原子替换Ga原子形成受主；利用Mg掺杂量渐变的氮化铟镓/氮化镓结构能很好的平衡空穴的分布，提高了光电器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上顺序生长的n型氮化镓层、发光层和p型氮化铟镓/氮化镓结构层，所述p型氮化铟镓/氮化镓结构层包括顺序生长的本征氮化镓层、Mg掺杂量逐渐增加的p型氮化铟镓层、p型氮化镓层和Mg掺杂量逐渐减少的p型氮化铟镓层，所述本征氮化镓层与发光层邻接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110433441.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能型制动器
- 下一篇：一种轧机轧制油过滤系统的过滤方法
