[发明专利]高纯钴靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201110430577.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102423802A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供的高纯钴靶材的制备方法，包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯，获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 钴靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，工艺步骤包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。
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