[发明专利]一种测量相变存储器应力的MEMS传感器及其制备工艺无效
| 申请号： | 201110430329.8 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102564650A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周文利;徐川;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量相变存储器应力的MEMS传感器及其制备工艺，该结构包括固定锚，支撑梁，电极及指示梁。结构配置于相变存储器芯片表面上，结构主体由一对相对放置并悬空的弯梁结构构成，通过放大结构在应力作用下在平行于衬底方向的位移来计算出所测应力，也可以通过测量结构在垂直于衬底方向的位移来计算出所测应力。在相变存储器相变材料反复擦写过程中，仍然能完成测量应力的工作，并且可以得到不同区域的应力分布情况。该结构解决了悬空结构易与衬底发生黏附的技术问题，提高了测试结构的可靠性同时也提高了测试的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 相变 存储器 应力 mems 传感器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种测量相变存储器应力的MEMS传感器，其特征在于，该传感器包括指示梁和电极，指示梁悬空在衬底上方，电极与指示梁电连接；根据指示梁的位移计算位于指示梁上的相变存储器的应力。
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