[发明专利]中子敏感镀膜及其形成方法

摘要

本发明涉及中子敏感镀膜及其形成方法。本发明的形成中子灵敏镀膜的方法主要包括：将第一敏感膜前驱体馈入反应腔中，使得第一敏感膜前驱体的分子被吸附在基材表面上，从而形成一层由该前驱体的分子构成的分子膜；在清除了反应腔中多余的前驱体后，将不同于第一敏感膜前驱体的另一敏感膜前驱体馈入反应腔中，以使所述另一敏感膜前驱体与基材表面上刚形成的分子膜发生化学反应；之后清除掉反应腔中多余的前驱体；如果还有其他需要馈入的敏感膜前驱体，则依次将其馈入进行反应，并清除多余的前驱体；重复上述馈入前驱体、清除多余前驱体的步骤，直到形成期望厚度的含有中子敏感核素的镀膜。

主权项

一种形成中子灵敏镀膜的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤a：将至少一层基材置于反应腔中；步骤b：对所述反应腔抽真空；步骤c：将第一敏感膜前驱体馈入所述反应腔中，使得所述第一敏感膜前驱体的分子被吸附在基材表面上或者被吸附在基材表面上已形成的分子膜上，从而形成一层由所述第一敏感膜前驱体的分子构成的分子膜，其中所述第一敏感膜前驱体中含有中子敏感核素；步骤d：将与所述第一敏感膜前驱体不发生化学反应的惰性冲洗物馈入所述反应腔中，以清除所述反应腔中没有被吸附的所述第一敏感膜前驱体的分子；步骤e：将不同于所述第一敏感膜前驱体的另一敏感膜前驱体馈入所述反应腔中，以使所述另一敏感膜前驱体与所述基材表面上刚形成的分子膜发生化学反应；步骤f：将与所述另一敏感膜前驱体不发生化学反应的惰性冲洗物馈入所述反应腔中，以清除所述反应腔中没有与所述基材表面上的分子膜发生化学反应的所述另一敏感膜前驱体的分子；步骤g：如果还有需要馈入所述反应腔以与所述基材表面上刚形成的分子膜发生化学反应的其他敏感膜前驱体，那么针对每种尚未被馈入的其他敏感膜前驱体重复步骤e和步骤f；步骤h：重复步骤c至步骤g，直到形成的各层分子膜的总厚度达到期望值，从而形成含有中子敏感核素的镀膜。