[发明专利]毫秒退火工艺稳定性的监测方法有效
| 申请号： | 201110406808.6 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165485A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根;禹国宾;吴兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种毫秒退火工艺稳定性的监测方法，包括：提供待监测晶圆，所述晶圆表面依次形成有隔离层和多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成金属镍层；对晶圆进行第一退火，使金属镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化二镍层；去除未反应的金属镍层；对晶圆进行毫秒退火，使硅化二镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化镍层，所述毫秒退火的温度范围为500～700摄氏度；测量硅化镍层的方块电阻值，并将方块电阻值与标准值进行比较，判断毫秒退火工艺的稳定性。本发明实施例的方法，提高监测晶圆的利用率，降低生产成本，提高监测的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 毫秒 退火 工艺 稳定性 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种毫秒退火工艺稳定性的监测方法，其特征在于，包括：提供待监测晶圆，所述晶圆表面依次形成有隔离层和多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成金属镍层；对晶圆进行第一退火，使金属镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化二镍层；去除未反应的金属镍层；对晶圆进行毫秒退火，使硅化二镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化镍层，所述毫秒退火的温度范围为500～700摄氏度；测量硅化镍层的方块电阻值，并将方块电阻值与标准值进行比较，判断毫秒退火工艺的稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
