[发明专利]制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201110404287.0 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102569500A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | B·比特纳;L·奥伯贝克;R·利德曼 | 申请(专利权)人: | 太阳世界创新有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘蕾;沙捷 |
地址: | 德国弗赖贝*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 在多种实施方式中,提供了一种制造太阳能电池的方法。根据该方法,在基本掺杂有第一导电类型的太阳能电池基板中形成透孔。此外,可将包括至少部分透孔的太阳能电池基板的第一表面的预定表面区域用相反的第二导电类型高度掺杂;并且同时或随后将第一表面的其它表面区域用该第二导电类型轻掺杂。此外,随后可在至少部分透孔的至少部分预定区域中和在太阳能电池基板的第二表面的第一区域中形成第一金属触点,所述第二表面的位置与太阳能电池基板的第一表面相对。最后,可以如下方式在第二表面上的第二区域中形成第二金属触点:使第二金属触点与第一金属触点电隔离。 | ||
搜索关键词: | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,其中在基本掺杂有第一导电类型的太阳能电池基板中形成透孔;其中将包括至少部分所述透孔的所述太阳能电池基板的第一表面的预定表面区域用相反的第二导电类型高度掺杂;并且同时或随后将所述第一表面的其它表面区域用所述第二导电类型轻掺杂;其中随后在至少部分所述透孔中的至少部分预定区域中以及在所述太阳能电池基板的第二表面的第一区域中形成第一金属触点,所述第二表面的位置与所述太阳能电池基板的第一表面相对;其中以如下方式在所述第二表面上的第二区域中形成第二金属触点:使所述第二金属触点与所述第一金属触点电隔离;其中将所述预定区域用掺杂硅墨高度掺杂,所述掺杂硅墨被印刷在所述预定区域中;且其中随后将所述第一表面的剩余区域用含掺杂剂的气体轻掺杂,所述含掺杂剂的气体经热处理作用于所述太阳能电池基板上。
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