[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110399310.1 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN102809855A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 李敏职 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明讨论了一种薄膜晶体管基板及其制造方法。根据实施方式,所述薄膜晶体管基板包括:选通线,所述选通线沿第一方向布置在基板上;数据线,所述数据线沿着第二方向与所述选通线交叉以限定相邻的第一像素区域和第二像素区域,所述数据线被所述第一像素区域和所述第二像素区域共用;公共线,所述公共线沿着所述第二方向与所述数据线基本平行地排列;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括与所述选通线连接的栅极、与所述数据线连接的源极、面对所述源极形成的漏极和与所述栅极交叠形成的有源层,其中,栅极绝缘膜介于所述有源层和所述栅极之间;以及像素电极,所述像素电极与所述漏极连接。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括:基板;选通线,所述选通线沿着第一方向排列在所述基板上;数据线,所述数据线沿着第二方向与所述选通线交叉排列以限定相邻的第一像素区域和第二像素区域,所述数据线被所述第一像素区域和所述第二像素区域共用;公共线,所述公共线沿着所述第二方向与所述数据线基本平行地排列;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括与所述选通线连接的栅极、与所述数据线连接的源极、面对所述源极形成的漏极和与所述栅极交叠形成的有源层,其中,栅极绝缘膜介于所述有源层和所述栅极之间;像素电极,所述像素电极与所述漏极连接;钝化膜,所述钝化膜形成在包括所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜的整个表面上;以及公共电极,所述公共电极形成在所述钝化膜上,并通过公共接触孔与所述公共线连接,其中,通过选择性地去除所述钝化膜形成所述公共接触孔。
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