[发明专利]硅基板、太阳能电池基板的制造方法及太阳能电池有效
申请号: | 201110385716.4 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN103137721A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 陈文华 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种硅基板、太阳能电池基板的制造方法及太阳能电池,所述硅基板包含:一第一区域以及一第二区域。该第一区域的表面具有多个第一突出结构,各该第一突出结构的表面具有多个凸块。该第二区域的表面具有多个第二突出结构,所述第一突出结构的平均厚度大于所述第二突出结构的平均厚度。本发明的方法是利用例如RIE或激光等方式,蚀刻一块半成品基板,以形成所述凸块与第二突出结构,并通过第二突出结构提升第二区域的表面粗糙度、降低光反射率,以缩小该第二区域及该第一区域之间的反射率差异,使该硅基板及电池的表面颜色较均匀。 | ||
搜索关键词: | 硅基板 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基板,包含:一个第一区域以及一个第二区域,该第一区域的表面具有多个第一突出结构,该第二区域的表面具有多个第二突出结构,其特征在于,所述第一突出结构的平均厚度大于所述第二突出结构的平均厚度,各该第一突出结构的表面具有多个凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的