[发明专利]一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110385214.1 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102491740A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;卢亚锋;张国防;金利华;王耀;于泽铭;李成山 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜，该超导薄膜的化学组成为YSmxBa2-xCu3Oy，其中0＜x≤0.5。本发明还公开了钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜的制备方法，该方法为：一、制备前驱液；二、采用旋涂法将前驱液涂覆于基底上，然后真空干燥；三、将干燥后的基底置于管式炉中进行热解，得到前驱膜；四、将前驱膜置于管式炉中进行晶化处理，得到钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜；或者将前驱膜作为基底，重复二和三1次或多次后置于管式炉中进行晶化处理，得到钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜。本发明通过在钡位掺杂钐引入离子缺陷作为钉扎中心，以减少磁通蠕动所产生的能量损耗，与YBCO薄膜相比，提高了其在外加磁场下的临界电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钇钡铜氧 超导 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜，其特征在于，该超导薄膜的化学组成为YSmxBa2‑xCu30y，其中0＜x≤0.5。
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