[发明专利]一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法

摘要

本发明公开了一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法，通过改善超厚顶层金属诱导的晶圆扭曲变形，且不会恶化化学机械研磨工艺；此外工艺简单，能够完全兼容金属硬掩模部分沟槽优先铜双大马士革制造工艺，在半导体制造铜互连领域有着广泛的应用前景。

主权项

一种改善超厚顶层金属诱导晶圆翘曲变形的方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，在半导体基体上铜大马士革工艺形成金属层；步骤二，在所述金属层上依次淀积形成刻蚀阻挡层、介电层和金属硬掩模层；步骤三，旋涂光刻胶，通过金属层光掩模版光刻形成互连结构沟槽图形；步骤四，刻蚀所述金属硬掩模层至所述介电层，去除剩余光阻，在所述金属硬掩模层上形成互连结构沟槽开口；步骤五，旋涂光刻胶，通过通孔光掩模版光刻形成互连结构通孔图形和浅冗余结构图形；步骤六，部分刻蚀在介电层中形成适当深度部分互连结构通孔，在金属硬掩模上形成适当深度冗余结构沟槽，去除剩余光阻，金属硬掩模作掩模刻蚀，在介电层上形成金属互连结构沟槽及通孔和浅冗余结构沟槽；步骤七，淀积金属阻挡层和铜籽晶层；步骤八，电镀金属铜填满所述介电层中的所述通孔和所述沟槽；步骤九，通过化学机械研磨平坦化工艺，研磨至所述介电层上去除多余金属，形成超厚顶层金属层。