[发明专利]晶圆在位检测装置以及晶圆在位检测方法有效
| 申请号： | 201110382233.9 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102496587A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 路新春;沈攀;何永勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆在位检测装置以及晶圆在位检测方法。所述晶圆在位检测装置包括：真空产生器；多个检测气孔，每个所述检测气孔均通过管路与所述真空产生器相连，其中所述多个检测气孔并联；第一过滤器，所述第一过滤器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间；真空压力检测器，所述真空压力检测器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间以便检测所述管路中的压力；和控制器，所述控制器与所述真空压力检测器相连以便根据所述真空压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明实施例的晶圆在位检测装置可以精确地判断出晶圆是否在位。 | ||
| 搜索关键词： | 在位 检测 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆在位检测装置，其特征在于，包括：真空产生器；多个检测气孔，每个所述检测气孔均通过管路与所述真空产生器相连，其中所述多个检测气孔并联；第一过滤器，所述第一过滤器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间；真空压力检测器，所述真空压力检测器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间以便检测所述管路中的压力；和控制器，所述控制器与所述真空压力检测器相连以便根据所述真空压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
