[发明专利]用于对半导体层的生长进行监控的方法无效
| 申请号： | 201110381839.0 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102543787A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | E·M·雷德;M·尤恩格尔斯;P·莱斯 | 申请（专利权）人： | 寇平公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8248;C23C16/52;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于对半导体层的生长进行监控的方法。通过以下方式来监控薄膜的沉积：在薄膜的沉积期间利用入射束照射薄膜，其中入射束的至少一部分反射离开薄膜从而产生反射的束；测量薄膜的生长期间从薄膜反射的束的强度从而得到反射率；以及曲线拟合由反射率数据代表的振荡的至少一部分以得到关于薄膜的厚度、生长速率、组分和掺杂中的至少一个的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 生长 进行 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种对薄膜在衬底上的沉积进行监控的方法，包括以下步骤：a)在薄膜的生长期间进行原位监控以生成反射率振荡数据；b)对所述反射率振荡数据进行曲线拟合以由此提取关于所述薄膜的厚度、生长速率、组分或掺杂的信息；以及c)对包括BiHEMT结构的至少一部分的所述薄膜进行监控。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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