[发明专利]一种锂电池充电保护芯片无效
| 申请号： | 201110368774.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102496974A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨兴洲 | 申请（专利权）人： | 开源集成电路(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锂电池充电保护芯片，包括：连接在ACIN引脚和芯片的内部电源之间，用于承受ACIN引脚上的高电压的高压MOS管，高压MOS管的栅极连接控制信号，漏极连接ACIN引脚，源极连接芯片的内部电源；以及镜像电流源，镜像电流源的电压输入端连接高压MOS管的源极和芯片的内部电源的连接点，电流输入端连接GATDRV引脚，电流输出端连接OUT引脚。应用上述技术方案，可以保证OUT引脚输出的充电电流Iout准确地随GATDRV引脚电流的变化而变化，从而保证OUT引脚处的充电电流Iout在锂电池的充电电流范围内，提高了OUT引脚输出的充电电流Iout精确度和锂电池充电值准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锂电池 充电 保护 芯片 | ||
【主权项】：
一种锂电池充电保护芯片，芯片上具有ACIN引脚、OUT引脚和GATDRV引脚，其特征在于，所述芯片包括：连接在所述ACIN引脚和所述芯片的内部电源之间，用于承受所述ACIN引脚上的高电压的高压金属氧化物半导体MOS管，所述高压MOS管的栅极连接控制信号，漏极连接所述ACIN引脚，源极连接所述芯片的内部电源；以及镜像电流源，所述镜像电流源的电压输入端连接所述高压MOS管的源极和所述锂电池充电保护芯片的内部电源的连接点，所述镜像电流源的电流输入端连接所述GATDRV引脚，电流输出端连接所述OUT引脚。
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